杏彩体育官网展会之一，德国慕尼黑半导体博览会（Semicon Europe 2024）于11月12日昌大开张。此次展会共吸引了来自30多个国度和区域的超500家企业到场。11月13日，正在展会上公布了环球首枚12英寸碳化硅衬底，引来了博世、英飞凌、ST、Soitec、疾驰、宝马、爱思强、全球晶圆等国际闻名公司的广博合切和认同，成为本届展会的一个爆点。

继2023年6月29日正在上海Semicon China集会上初度公布环球首枚8英寸液相法造备的低缺陷碳化硅衬底后，天岳先辈本次正在欧洲Semicon Europa展览上再次公布环球首枚12英寸碳化硅衬底，让业内继续以为不也许的事故成为实际，这一打破标识着天岳先辈正在合成质料、晶体发展、衬底加工、缺陷执掌以及装备创造等方面均抵达了国际当先秤谌。愈加奠定了天岳先辈的行业当先职位。

业界广博以为，12英寸与液相法都是碳化硅衬底进展的主流技能途径，代表着SiC衬底最尖端的另日技能。一方面，“尺寸越大，单元芯片本钱越低”是SiC衬底进展中公认的降本旅途，目前家产界碳化硅晶圆尺寸正正在神速从6英寸向8英寸跃迁，而12英寸如此的超大尺寸更是代表了另日的对象；另一方面，进一步来看，正在前沿的碳化硅进展途径中，除碳化硅衬底一连扩径表，又有效液相法造备高品格P型碳化硅衬底，从永远来看，液相法是造备高质地SiC晶体的一种有出息的本事。低温溶液发展法因为发展历程拥有更好的可控性和不变性，故而可能升高良率，进一步有用低浸衬底晶片本钱。正在业界，液相法碳化硅单晶发展继续被冠以“皇冠级难度”的称谓。

令人注目的是，天岳先辈于2023年达成8英寸P型碳化硅的环球首发后，已于近期达成该产物的批量交付，通过了以智能电网为代表的10KV以上更高电压运用周围的认同，鞭策了高功能SiC-IGBT的进展经过。

天岳先辈或许同时将“12英寸超大尺寸”和“液相法”这两大尖端SiC衬底技能总计收入囊中，均做到环球首发，足可见天岳先辈正在SiC衬底技能周围的绝对技能上风，是立于另日技能海潮的典型。

合联家产人士对此体现，能做到同时占据“12英寸”和“液相法”，并推出相应的SiC衬底产物，放眼环球周围内，也足以凸显天岳先辈的技能引颈力，达成了“从追逐到超越”。天岳先辈同时正在300mm碳化硅衬底技能和液相法造备P型200mm衬底，这两条改进途径上做到环球首发，打破技能极限，跻身于国际一线碳化硅衬底品牌序列。

动作代表质料，碳化硅拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率等功能上风，正在高温、高压、高频周围呈现优异，已然成为当下半导体质料技能周围重心进展的对象。

从墟市进展趋向来看，碳化硅正处正在高速增进的“黄金赛道”上。遵照Yole数据显示，环球碳化硅功率器件墟市周围估计将从2021年10.9亿美元增进至2027年62.97亿美元，年均复合增进率达34%。

进一步从家产链布局上明白，SiC器件的本钱组成涵盖衬底、表延、流片和封测等多个症结，此中衬底所占本钱比重高达40%以上。业界以为，为了低浸单个器件的本钱，进一步伸张SiC衬底尺寸，正在单个衬底上添加器件的数目是低浸本钱的环节所正在。

11月13日，天岳先辈正在德国慕尼黑半导体博览会首发的12英寸（300mm）超大尺寸的N型碳化硅衬底，无疑是行业内的开创性宏构。它类似一座灯塔，为整体行业指了解进展对象，拥有极其紧张的标杆引颈功用。

跟着新能源汽车、光伏储能等明净能源、5G通信及高压等家产的神速进展，满意高功率、高电压、高频率等职责条款的碳化硅基器件的需求也打破式增进。据理会，12英寸碳化硅衬底质料，或许进一步伸张单片晶圆上可用于芯片筑设的面积，大幅晋升及格芯片产量。正在一致临盆条款下，明显晋升产量，低浸单元本钱，进一步晋升经济效益，为碳化硅质料的更大周围运用供应也许。

天岳先辈通过添加12英寸碳化硅衬底产物，打造了更多的差别化的产物系列，并正在产物品格、功能等方面满意客户多样化的需求。这一产物问世反映了墟市对高功能碳化硅质料的要紧需求，也表现了公司对技能改进和产物升级的一连进入，同时是对另日墟市趋向的前瞻性组织。

天岳先辈动作永远生动正在技能最前沿的高科技企业，依赖着坚韧不拔的研发决定和高瞻远瞩的政策目光，不停正在技能的“崇山峻岭”中勇猛登攀，一连攻占一个个技能高地，悉心打造出极具比赛力的硬核技能上风。

引人防备的是，正在“液相法”碳化硅衬底技能周围，天岳先辈差别化当先上风出色。液相法拥有发展高品格晶体的上风，正在长晶道理上确定了可能发展超高品格的碳化硅晶体。天岳先辈组织液相法多年，目前正在该周围得回了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。通过液相法造备的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率幼于200mΩ·cm，面内电阻率漫衍平均，结晶性杰出。

今天，天岳先辈向客户告成交付高质地低阻P型碳化硅衬底，标识着向认为代表的更高电压周围迈进了一步。高质地低阻P型碳化硅衬底将极大加快高功能SiC-IGBT的进展经过，达成高端特高压功率器件国产化。

同时，天岳先辈正在高精尖技能周围的研究从未止步。据国度常识产权局的消息，近期公司申请了一项名为“一种低浸碳化硅单晶造备本钱的液相发展用坩埚及液相造备本事”的专利，该专利聚焦于碳化硅单晶液相发展技能周围杏彩体育官网登录，据悉或许大幅低浸液相法发展碳化硅单晶的本钱，这无疑又为公司正在“液相法”技能改进之道上填补了浓墨重彩的一笔。

联结此次12英寸碳化硅衬底产物的海表亮相，无疑更进一步坚固了天岳先辈的行业龙头职位，再次为碳化硅行业塑造出新的标杆演示效应，筑立起行业风向标的当先比赛力。

近年来，跟着碳化硅家产海潮的奔涌而来，英飞凌、意法半导体、安森美等国际巨头均纷纷加快组织，恰是敬重的是碳化硅行业另日的进展潜力。

不才游运用场景不停丰裕的靠山下，碳化硅半导体质料正逐步成为行业竞相追赶的热门。特别是碳化硅技能正在电动汽车上的告成运用，启发了碳化硅正在其他周围的运用拓展杏彩体育官网登录。

合联数据显示，估计到2027年碳化硅功率器件的墟市周围将跨越62.97亿美元。业界探索显示，除车将明显启发碳化硅墟市需求表，光伏逆变器、高压充电桩、轨交电网等其他运用也将为碳化硅墟市创设增量。

业内人士剖析以为，碳化硅具备丰裕的运用场景，目前汽车的启发是中枢驱动力，然则跟着另日诸如电网、光伏和轨道交通的大周围运用，以至航空航天、AR眼镜等前沿运用周围的一连研究，这片墟市相等壮阔，充满了无穷也许。

值得一提的是，天岳先辈正在国际墟市上已涌现出巨大的影响力。正在客户和墟市拓展方面，天岳先辈强化与国表里著名客户发展永远协作，并告成切入英飞凌、博世、安森美等国际大厂的供应链。

国内半导体质料供应商或许进入国际一线大厂供应链，拥有极高的难度。天岳先辈的高品格碳化硅衬底产物不光达成了“出海”，环球市占率也得回了明显晋升。财政数据显示，与国际一线大厂的协作鞭策天岳先辈过去已达成连结多个季度的营收环比增进，公司2024年前三季度环球市占率仍依旧当先。

本次天岳先辈业内首款12英寸超大尺寸碳化硅衬海表首发，联结公司正在产能组织、技能积淀以及所处行业赛道等多方面所具备的当先上风来看，无疑让墟市对其另日进展充满了更多期望，进一步翻开了其生长的遐思空间。